三星电子5月29日表示，已开始向全球主要客户出样其下一代AI处理器用高带宽内存HBM4E。这家韩国公司称这款12层产品是业内首款同类产品。
高带宽内存（HBM）将多个DRAM芯片垂直堆叠，并置于AI加速器旁，以便数据能够在内存与处理器之间快速传输。随着大型AI模型的普及，此类内存的需求快速增长，因为这些模型需要在内存与处理器之间搬运海量数据。
据三星介绍，HBM4E的稳定引脚速度达到每秒14吉比特，可扩展至16 Gbps，公司称这比其HBM4快20%以上。每堆栈内存带宽最高可达每秒3.6太字节。12层版本容量为48 GB，比上一代高出30%以上，三星还计划根据客户需求推出32 GB（8层）和64 GB（16层）版本。
这些芯片采用三星第六代10纳米级DRAM工艺（即1c工艺）制造，并置于三星代工厂以4纳米工艺生产的逻辑基底芯片之上。该公司表示，设计与封装方面的改进使能效提升了16%，热阻降低了14%以上，均较上一代有所改善。
“追随HBM4量产成功的脚步，三星凭借HBM4E再次展现出其独特的技术优势，”三星电子内存开发部门执行副总裁兼负责人Sang Joon Hwang表示，“通过先进的制造能力和前瞻性的基础设施投资，我们将持续推动全球AI内存市场的增长。”
此次出样是在三星今年2月开始量产并出货HBM4几个月之后。市场研究机构集邦咨询指出，HBM4与HBM4E共用相同的1c DRAM工艺和4纳米基底芯片，业内观察人士认为这有助于新产品更快走向量产。三星表示，将根据客户的时间安排启动HBM4E量产。
竞争对手也在研发同一代产品。集邦咨询援引韩联社报道称，SK海力士最初计划在2026年下半年出样HBM4E，但近期消息显示其时间表已提前。集邦咨询报道称，美光表示其首款HBM4E产品将遵循JEDEC标准，量产爬坡目标为2027年。
